[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201310076609.2 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104051263A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少形成栅极结构；蚀刻所述半导体衬底，以在所述栅极结构的两侧形成第一沟槽；在所述栅极结构以及所述第一沟槽的侧壁上形成阻挡层，进而形成第二沟槽；执行湿法蚀刻，以平坦化所述第二沟槽的底部；去除所述阻挡层；在所述第二沟槽中沉积应力层。在本发明中在形成所述第一沟槽后，在所述沟槽的侧壁上形成阻挡层，进而形成第二沟槽，并且对所示第二沟槽的底部表面进行平坦化，降低了所述第二沟槽底部水平面粗糙度，确保了在后续工艺中沉积的应力层的表面更加光滑均一，降低所述应力层表面的粗糙度，提高SiC层的沉积品质，进而提高器件的性能以及良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少形成栅极结构；蚀刻所述半导体衬底，以在所述栅极结构的两侧形成第一沟槽；在所述栅极结构以及所述第一沟槽的侧壁上形成阻挡层，进而形成第二沟槽；执行湿法蚀刻，以平坦化所述第二沟槽的底部；去除所述阻挡层；在所述第二沟槽中沉积应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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