[发明专利]选择性蚀刻方法

摘要

本发明的目的在于，提供一种选择性蚀刻方法，其为以实用的速度、且与基底基材相比优先选择性蚀刻钛以及其它金属的方法。该方法为一种蚀刻方法，其特征在于，将设于选自玻璃、硅、铜和镍的基底基材上的选自钛、铌、钨、钼、钌、铑、砷、铝和镓中的金属、前述金属的氧化物、前述金属的氮化物、氮化硅、氮化铪、氮化钽或这些的合金的层与本质上含有1种以上络合剂且为碱性的蚀刻液接触，选择性蚀刻选自钛、铌、钨、钼、钌、铑、砷、铝和镓中的金属、前述金属的氧化物、前述金属的氮化物、氮化硅、氮化铪、氮化钽或这些的合金，前述络合剂选自下式（I）和（II）所示的化合物。

主权项

1.一种蚀刻方法，其特征在于，将设于选自玻璃、硅、铜和镍的基底基材上的选自钛、铌、钨、钼、钌、铑、砷、铝和镓中的金属、前述金属的氧化物、前述金属的氮化物、氮化硅、氮化铪、氮化钽或这些的合金的层与本质上含有1种以上络合剂且为碱性的蚀刻液接触，选择性蚀刻选自钛、铌、钨、钼、钌、铑、砷、铝和镓中的金属、前述金属的氧化物、前述金属的氮化物、氮化硅、氮化铪、氮化钽或这些的合金，所述络合剂选自下式（I）和（II）所示的化合物，式（I）中，R¹～R³任选各自相同或不同，为－R^a、－OR^b、－OOR^c、－COOR^d、－COOOR^e、－CH₂COOR^f、－CH₂COOOR^g、－CR^hO或－CH₂CHCH₃，其中，R^a～R^h任选各自相同或不同，为氢、碳数1～10的饱和脂肪族基团、碳数1～10的不饱和脂肪族基团或芳基，式（II）中，R⁴～R⁷任选各自相同或不同，为－Rⁱ、－OR^j、－OOR^k、－COOR^l、－COOOR^m、－CH₂COORⁿ、－CH₂COOOR^o、－CR^pO、－CH₂CHCH₃、－CN、－NC、－NO₂、－F、－Cl、－Br、－I、－SO₂R^q，其中，Rⁱ～R^q任选各自相同或不同，为氢、碳数1～10的饱和脂肪族基团、碳数1～10的不饱和脂肪族基团或芳基，X为－OH、－COOH或－COOOH。