[发明专利]一种为浮栅存储器提供正负高压的字线驱动装置及其方法有效
| 申请号： | 201310076727.3 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104050999A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 胡洪;张君宇 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种为浮栅存储器提供正负高压的字线驱动装置及其方法，装置包括：P型晶体管、第一N型晶体管、第二N型晶体管；所述P型晶体管的栅端、所述第一N型晶体管的栅端和用于输入电压的第一输入端口连接在一起，所述P型晶体管的源端与用于输入电压的第二输入端口连接，所述第一N型晶体管的漏端与用于输入电压的第五输入端口连接，所述第二N型晶体管的漏端与用于输入电压的第三输入端口连接，所述第二N型晶体管的栅端与用于输入电压的第四输入端口连接，所述P型晶体管的漏端、所述第一N型晶体管的源端、第二N型晶体管的源端和用于输出电压的字线输出端口连接在一起。本发明能减弱FN擦除效应，能提高存储器系统操作的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 提供 正负 高压 驱动 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种为浮栅存储器提供正负高压的字线驱动装置，其特征在于，包括：P型晶体管（MP0）、第一N型晶体管(MN0)、第二N型晶体管（MN1）；所述P型晶体管（MP0）的栅端、所述第一N型晶体管(MN0)的栅端和用于输入电压的第一输入端口连接在一起，所述P型晶体管（MP0）的源端与用于输入电压的第二输入端口连接，所述第一N型晶体管(MN0)的漏端与用于输入电压的第五输入端口连接，所述第二N型晶体管（MN1）的漏端与用于输入电压的第三输入端口连接，所述第二N型晶体管（MN1）的栅端与用于输入电压的第四输入端口连接，所述P型晶体管（MP0）的漏端、所述第一N型晶体管(MN0)的源端、第二N型晶体管（MN1）的源端和用于输出电压的字线输出端口连接在一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京兆易创新科技股份有限公司，未经北京兆易创新科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310076727.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种减小浮栅存储器位线漏电流的方法及其装置
- 下一篇：一种甜瓜种子催芽方法
