[发明专利]基于动态自偏置电路的差分射频放大器有效

专利信息
申请号: 201310076883.X 申请日: 2013-03-11
公开(公告)号: CN103187937A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 冯卫锋;章国豪;李义梅 申请(专利权)人: 豪芯微电子科技(上海)有限公司
主分类号: H03F3/189 分类号: H03F3/189;H03F3/45
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 张泽纯
地址: 201203 上海市浦东新区张*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种基于动态自偏置电路的差分射频放大器,包括共栅器件栅极静态偏置电路和电荷泵电路,由四个N沟道的金属氧化物半导体管、两个隔直电容、两个二极管、输出变压器、偏置电阻和负载电阻组成。本发明由放大器电路本身根据输出信号的幅度,动态地改变共栅器件的栅极电压,使得放大器电路只在输出信号幅度较大的时候,提高共栅器件的栅极电压,以达到提高最大输出功率和效率。
搜索关键词: 基于 动态 偏置 电路 射频放大器
【主权项】:
一种基于动态自偏置电路的差分射频放大器,其特征在于由第一N沟道的金属氧化物半导体管(M1)、第二N沟道的金属氧化物半导体管(M2)、第三N沟道的金属氧化物半导体管(M3)、第四N沟道的金属氧化物半导体管(M4),第一隔直电容(C1)、第二隔直电容(C2)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、输出变压器(L1)、偏置电阻(R1)和负载电阻(R2)组成,上述元部件的连接关系如下:第一N沟道的金属氧化物半导体管(M1)和第二N沟道的金属氧化物半导体管(M2)的栅极为差分输入端,第一N沟道的金属氧化物半导体管(M1)和第二N沟道的金属氧化物半导体管(M2)的源极连在一起并接地;第三N沟道的金属氧化物半导体管(M3)和第四N沟道的金属氧化物半导体管(M4)为叠管,它们的源级与第一N沟道的金属氧化物半导体管(M1)和第二N沟道的金属氧化物半导体管(M2)的漏级分别连接,组成差分共源共栅结构;第三N沟道的金属氧化物半导体管(M3)和第四N沟道的金属氧化物半导体管(M4)的栅极连接在一起,并和偏置电阻(R1)相连,该偏置电阻(R1)的另一端接偏置电压;所述的输出变压器(L1)的原边与所述的第三N沟道的金属氧化物半导体管(M3)和第四N沟道的金属氧化物半导体管(M4)的漏级相连,所述的输出变压器(L1)的副边接所述的负载电阻(R2),所述的第一隔直电容(C1)和第一二极管(D1)的正极相联,第一隔直电容(C1)的另一端和第三N沟道的金属氧化物半导体管(M3)的漏极相连,第一二极管(D1)的负极和第三N沟道的金属氧化物半导体管(M3)的栅极相连接;所述的第二隔直电容(C2)和第二二极管(D2)正极相联,第二隔直电容(C2)的另一端和第四N沟道的金属氧化物半导体管(M4)的漏极相连,第二二极管(D2)的负极和第四N沟道的金属氧化物半导体管(M4)的栅极相连接,所述的第一隔直电容(C1)、第二隔直电容(C2)、第一二极管(D1)和第二二极管(D2)共同组成电荷泵电路。
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