[发明专利]电子束曝光方法有效
| 申请号： | 201310076889.7 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103135367A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 侯克玉;王逸群;姜春宇;王德稳;周震华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电子束曝光方法，包括：s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂；s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层；s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂；s4、电子束曝光，在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳米尺寸的曝光图形；s5、用顶层电子束抗蚀剂做掩膜刻蚀金属层及底层电子束抗蚀剂，将曝光图形转移到待加工样品上。此种可以消除绝缘材料在电子束曝光过程中产生的电荷积累效应的方法，解决了常规工艺中不能在绝缘材料上进行电子束曝光的难题，可以很好在绝缘材料上实现纳米尺度图形的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种电子束曝光方法，其特征在于，包括：s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂；s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层；s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂；s4、电子束曝光，在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳米尺寸的曝光图形；s5、用顶层电子束抗蚀剂做掩膜刻蚀金属层及底层电子束抗蚀剂，将曝光图形转移到待加工样品上，所述的待加工样品为绝缘材料或低电导率的材料，所述的低电导率材料的电导率为10‑18s/m~10‑13s/m。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310076889.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
