[发明专利]一种晶体硅片的磷扩散方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅片的磷扩散方法，包括如下步骤：一种晶体硅片的磷扩散方法，包括如下步骤：(1)恒定源扩散：将待处理的晶体硅片放于扩散炉中，以1~10℃/min的升温速率升温至805~850℃，通入携磷源氮气、干氧和大氮进行恒定源扩散；(2)氧化推进：保持上述温度，停止通入携磷源氮气，同时通入干氧和大氮，进行推进；(3)降温氧化；(4)扩散结束，出舟。实验证明，相对于现有的扩散工艺，采用本发明的方法制备的电池片的开路电压可以提高7mV，短路电流提高70mA，同时填充因子无明显变化，最终的光电转换效率提高了0.3%左右，取得了意想不到的技术效果。

主权项

一种晶体硅片的磷扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 恒定源扩散：将待处理的晶体硅片放于扩散炉中，以1~10℃/min的升温速率升温至805~850℃，通入携磷源氮气、干氧和大氮进行恒定源扩散，扩散时间为10~30 min；所述携磷源氮气的流量为0.6~2.0 L/min，干氧的流量为0.5~2.0 L/min，大氮的流量为10~30 L/min；(2) 氧化推进：保持上述温度，停止通入携磷源氮气，同时通入干氧和大氮，进行推进；干氧的流量为5~30 L/min，大氮的流量为0~30 L/min，氧化推进时间为5~30 min；(3) 降温氧化：保持上述步骤(2)中的气体流量，以1~10℃/min的降温速率降温至500~800℃，降温氧化时间为10~60 min；(4) 扩散结束，出舟。