[发明专利]一种高介电性能X8R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201310077055.8 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103204677A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 崔斌;李梅;阎雯青;畅柱国 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安西达专利代理有限责任公司 61202 | 代理人： | 谢钢 |
| 地址： | 710069 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高介电性能X8R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法，该陶瓷介质材料的化学组成通式满足：Ba1-xBixTiO3+aNb2O5+bCo2O3+cNd2O3+dMnO2+eZrO2，其中，0.010＜x≤0.045，a=0.6～0.9wt%、b=0.1～0.2wt%、c=0.3～0.6wt%、d=0.01～0.03wt%，e=0.5～2.0wt%，其余为Ba1-xBixTiO3。 本发明制备得到的陶瓷介质材料性能达到如下指标：陶瓷圆片烧结温度在1100℃-1200℃之间，晶粒尺寸可以控制在0.1-0.5μm，室温介电损耗<1.0%。形成具有优良的介电性能和显微结构的X8R型高介电常数，低介电损耗，高耐压介质材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高介电 性能 x8r 陶瓷 电容器 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
通式（I）表示的陶瓷介质材料，Ba1‑xBixTiO3 + aNb2O5 + bCo2O3+ cNd2O3+ dMnO2+ eZrO2 （I）其中，0.010＜x≤0.045，a=0.6～0.9 wt%、b=0.1～0.2 wt%、c=0.3～0.6 wt%、d=0.01～0.03 wt%，e=0.5～2.0 wt%，其余为Ba1‑xBixTiO3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北大学，未经西北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310077055.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
