[发明专利]一种大功率晶闸管的改性钼基片及其制备方法有效
| 申请号： | 201310078502.1 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103194723A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 吴玉萍;高文文;李改叶;郭文敏;王博;洪晟 | 申请（专利权）人： | 河海大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/48 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 李纪昌 |
| 地址： | 210098 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大功率晶闸管的改性钼基片及其制备方法。本发明提出的一种大功率晶闸管的改性钼基片，包括平面度≤5μm、平行度≤10μm和表面粗糙度Ra≤0.3μm的金属钼片，其特征在于用纯度大于99.0%的金属钌离子与金属钼片固溶，在金属钼片表面形成钌钼合金渗层。本发明的改性钼基片成品具有金属钼片与钌钼合金的结合强度高、重复性好和平整度高等优点。本发明提出的一种大功率晶闸管的改性钼基片的制备方法，具体步骤包括表面预处理、钌钼固溶和退火处理，该制法实施简便、无环境污染产生，实用可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 晶闸管 改性 钼基片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大功率晶闸管的改性钼基片，包括平面度≤5μm、平行度≤10μm和表面粗糙度Ra≤0.3μm的金属钼片，其特征在于用纯度大于99.0%的金属钌离子与金属钼片固溶，在金属钼片表面形成钌钼合金渗层。
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