[发明专利]一种硅电容麦克风及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201310078621.7 申请日: 2013-03-12
公开(公告)号: CN104053104A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 万蔡辛;杨少军 申请(专利权)人: 北京卓锐微技术有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨;张爱莲
地址: 100191 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种硅电容麦克风及其制造方法,所述硅电容麦克风包括基底、背极板和振膜,所述振膜位于所述基板和所述背极板之间,所述基板上设有声腔,所述背极板和所述振膜之间设有固定气隙,所述振膜与所述背极板上分别设有电极引出的焊盘以作电气连接之用,其中所述振膜为圆形,其边缘全封闭固定在所述基底上,所述振膜上包括中心孔和与所述中心孔同心的一个或多个褶皱环,所述褶皱环位于等于或大于1/2振膜半径的区域内。本发明通过硅电容麦克风的振膜结构上的改变,能够提高硅电容麦克风受外界冲击和受高压气流吹击时的抗冲击性,帮助导电多晶硅振膜释放应力,保持振膜的高灵敏度,从而达到提高品质、降低成本、拓宽产品应用场合的目的。
搜索关键词: 一种 电容 麦克风 及其 制造 方法
【主权项】:
一种硅电容麦克风,包括基板、背极板和振膜,所述振膜位于所述基板和所述背极板之间,所述基板上设有声腔,所述背极板和所述振膜之间设有固定气隙,所述振膜与所述背极板上分别设有电极引出的焊盘以作电气连接之用,其特征在于,所述振膜为圆形,其边缘全封闭固定在所述基底上,所述振膜上包括中心孔和与所述中心孔同心的一个或多个褶皱环,所述褶皱环位于等于或大于1/2振膜半径的区域内。
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