[发明专利]一种绿光GaN基LED外延结构有效
| 申请号： | 201310079601.1 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103178177A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 李鸿渐;李盼盼;李志聪;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种绿光GaN基LED外延结构，涉及LED外延生长技术领域，包括在石衬底上依次生长的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层和p型GaN层，其特点是：InGaN/GaN多量子阱有源层由GaN垒层、第一In组分渐变式Gradedwell缓冲层、InGaN量子阱层、第二In组分渐变式Gradedwell缓冲层和变温GaN过渡层组成。采用本发明生长的氮化物外延片用标准芯片工艺制成10mil*12mil的520nm的绿光芯片在20mA下的亮度从600mcd上升到850mcd，封装后亮度从4.9lm上升到6.2lm，外量子效率从21%上升到30%，实现高亮度的绿光GaN基LED。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种绿光GaN基LED外延结构，包括在石衬底上依次生长的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层和p型GaN层，其特征在于所述InGaN/GaN多量子阱有源层由GaN垒层、第一In组分渐变式Graded well缓冲层、InGaN量子阱层、第二In组分渐变式shallow well缓冲层和变温GaN过渡层组成，所述GaN垒层生长在n型GaN层上，第一In组分渐变式Graded well缓冲层生长在GaN垒层上，InGaN量子阱层生长在第一In组分渐变式Graded well缓冲层上，第二In组分渐变式shallow well缓冲层生长在InGaN量子阱层上，变温GaN过渡层生长在第二In组分渐变式shallow well缓冲层上。
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