[发明专利]高温超导薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310079699.0 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103184513A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 薛其坤;马旭村;王立莉;陈曦;贾金锋;何珂;季帅华;张文号;王庆艳;李志 | 申请（专利权）人： | 清华大学;中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/46 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 哈达 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高温超导薄膜的制备方法，其包括以下具体步骤：提供一SrTiO3基底，将该SrTiO3基底置于一超高真空系统中；利用分子束外延生长技术生长一FeSe单晶层于该SrTiO3基底的表面；以及利用分子束外延生长技术生长一具有层状晶体结构的保护层覆盖于该FeSe单晶层的表面。利用本发明方法可制备出高质量、超薄的高温超导薄膜，其超导转变的起始温度在54K以上，在12K时的临界电流密度高于106A/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 超导 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高温超导薄膜的制备方法，其包括以下步骤：a) 提供一SrTiO3基底，将该SrTiO3基底置于一超高真空系统中；b) 利用分子束外延生长技术生长一FeSe单晶层于该SrTiO3基底的表面；以及c) 利用分子束外延生长技术生长一具有层状晶体结构的保护层覆盖于该FeSe单晶层的表面。
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