[发明专利]具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构无效
| 申请号： | 201310079843.0 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103199169A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李鸿渐;李盼盼;李志聪;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构，涉及一种应用在高亮度GaN基绿光LED中的P型GaN的生长技术领域。包括依次生长在衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型GaN和InGaN电流隧穿层，其特征在于所述P型GaN由低温P型GaN空穴注入层、P型Al(In)GaN电子阻挡层和P型GaN空穴活化层组成。采用以上结构的P型GaN应用于高亮度GaN基绿光LED生长，20mil*40mil的520nm的绿光芯片在120mA下COW的亮度达到75mW，封装后外量子效率达到31%，达到国内领先水平。同时20mil*40mil抗静电特性提高到8000V以上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 gan 基绿光 led 中的 外延 生长 结构 | ||
【主权项】：
具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构，包括依次生长在衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型GaN和InGaN 电流隧穿层，其特征在于所述P型GaN由低温P型GaN空穴注入层、P型Al(In)GaN 电子阻挡层和P型GaN空穴活化层组成，所述低温P型GaN空穴注入层生长在InGaN/GaN多量子阱有源层上，P型Al(In)GaN 电子阻挡层生长在低温P型GaN空穴注入层上，P型GaN空穴活化层生长在P型Al(In)GaN 电子阻挡层上。
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