[发明专利]一种N型磷化铟单晶生长制备配方有效
| 申请号： | 201310079859.1 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104047055B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 关活明 | 申请（专利权）人： | 台山市华兴光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40 |
| 代理公司： | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人： | 蒋欢妹;莫瑶江 |
| 地址： | 529341 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N型磷化铟单晶生长制备配方，该配方按原料重量百分比组成为：InP多晶料96.50～97.50％，三氧化二硼1.40～2.00％，红磷1.00～1.50％，硫0.01～0.02％。本发明可以获得高质量、大直径InP单晶，且生产效率高，降低消耗、提高劳动生产率，制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其平均EPD小于5.0×104cm‑2，载流子浓度小于3.8×1018cm‑3。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 铟单晶 生长 制备 配方 | ||
【主权项】：
1.一种N型磷化铟单晶生长制备配方，其特征在于按原料重量百分比组成为：InP多晶料96.50~97.50%，三氧化二硼1.40~2.00%，红磷1.00~1.50%，硫0.01~0.02%，所述InP多晶料经去离子水多次煮沸清洗，以去除表面的氧化物和残余杂质，所述三氧化二硼为高纯脱水三氧化二硼，脱水后的三氧化二硼含水量一般在500ppm量级，所述红磷达到6N纯净度，所述硫达到6N纯净度。
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