[发明专利]一种高K金属栅工艺中TiN表面界面层的去除工艺有效
| 申请号： | 201310080084.X | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104051247A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲;倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高K金属栅工艺中TiN表面界面层的去除工艺，至少包括以下步骤：1）于包括依次层叠于Si衬底表面的SiO2层、高K介质层、TiN层以及多晶硅层的栅极结构中去除所述多晶硅层，露出所述TiN层以及形成于其表面的氮氧化硅界面层；2）采用F-基干法刻蚀去除所述氮氧化硅界面层，去除过程中TiN表面会形成氟化钛界面层；3）于H2或者N2/H2的混合气体的气氛中对所述TiN层表面进行高温等离子体处理；4）采用湿法清洗工艺对所述TiN表面进行清洗。本发明可以有效去除TiN表面的氮氧化硅界面层以及此过程中所产生的氟化钛界面层，从而保证了晶体管阈值电压的稳定性，提高了晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 工艺 tin 表面 界面 去除 | ||
【主权项】：
一种高K金属栅工艺中TiN表面界面层的去除工艺，其特征在于，所述去除工艺至少包括以下步骤：1）于包括依次层叠于Si衬底表面的SiO2层、高K介质层、TiN层以及多晶硅层的栅极结构中去除所述多晶硅层，露出所述TiN层以及形成于其表面的氮氧化硅界面层；2）采用F‑基干法刻蚀去除所述氮氧化硅界面层，去除过程中TiN表面会形成氟化钛界面层；3）于H2或H2/N2的混合气体的气氛中对所述TiN层表面进行高温等离子体处理；4）采用湿法清洗工艺对所述TiN层表面进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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