[发明专利]一种制备SiC纳米线的方法

摘要

本发明涉及SiC纳米线，特指由木粉为碳源，含硅高分子先驱体为硅源制备SiC纳米线的方法，以木粉为碳源，固体聚硅氧烷为高分子前驱体，通过原位反应合成了SiC纳米线，该方法制备工艺简单，成本较低，且高效利用了生物质废弃物。

主权项

一种制备SiC纳米线的方法，其特征在于包括如下步骤：（1）木粉预处理：将家装废弃后的杉木木屑经筛分后球磨，取出烘干，处理后的木粉筛分后取粒径小于32μm的木粉备用；固体聚硅氧烷的合成：将含氢硅油为高分子先驱体，二乙烯基苯为交联剂，氯铂酸溶液为催化剂，超声振荡混合均匀后在120℃下交联12h后合成固体聚硅氧烷；（2）木粉和聚硅氧烷复合：采用木粉为碳源，聚硅氧烷为硅源，将木粉和聚硅氧烷球磨至均匀混合；（3）高温烧结：将上述混合均匀的粉末原料置于三氧化二铝瓷舟中再放入管式炉内，抽真空后并通入Ar气后高温烧结，烧结起始温度为50℃，以5℃/min的速度升至150℃，保温15min后；以2℃/min的速度升温至400℃保温30min；再以5℃/min 的速度升温至1200℃‑1400℃保温后冷却。