[发明专利]金属互连结构的形成方法在审
申请号: | 201310080598.5 | 申请日: | 2013-03-13 |
公开(公告)号: | CN104051324A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 张城龙;胡敏达 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种金属互连结构的形成方法,包括:提供半导体结构,所述半导体结构从下至上形成有金属层、第一层间介质层和第一掩膜层,所述第一掩膜层中具有第一掩膜图形,所述金属层中含Cu,所述第一掩膜层中含Ti;沿第一掩膜层中的第一掩膜图形对第一层间介质层进行第一刻蚀,所述第一刻蚀在露出所述金属层之前停止;利用氟碳化合物气体和Ar的混合气体进行清洁处理;继续以第一掩膜层为掩膜,沿第一掩膜图形对经过清洁处理的半导体结构进行第二刻蚀,以暴露出所述金属层。本发明的技术方案中在暴露出金属层之前进行一步清洁处理,就可以解决现有技术中会在金属互连结构的底部出现毛刺的问题,方法简单,效果明显。 | ||
搜索关键词: | 金属 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种金属互连结构的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体结构,所述半导体结构从下至上形成有金属层、第一层间介质层和第一掩膜层,所述第一掩膜层中具有第一掩膜图形,所述金属层中含Cu,所述第一掩膜层中含Ti;沿第一掩膜层中的第一掩膜图形对第一层间介质层进行第一刻蚀,所述第一刻蚀在露出所述金属层之前停止;利用氟碳化合物气体和Ar的混合气体进行清洁处理;继续以第一掩膜层为掩膜,沿第一掩膜图形对经过清洁处理的半导体结构进行第二刻蚀,以暴露出所述金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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