[发明专利]金属互连结构的形成方法在审

专利信息
申请号: 201310080598.5 申请日: 2013-03-13
公开(公告)号: CN104051324A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 张城龙;胡敏达 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种金属互连结构的形成方法,包括:提供半导体结构,所述半导体结构从下至上形成有金属层、第一层间介质层和第一掩膜层,所述第一掩膜层中具有第一掩膜图形,所述金属层中含Cu,所述第一掩膜层中含Ti;沿第一掩膜层中的第一掩膜图形对第一层间介质层进行第一刻蚀,所述第一刻蚀在露出所述金属层之前停止;利用氟碳化合物气体和Ar的混合气体进行清洁处理;继续以第一掩膜层为掩膜,沿第一掩膜图形对经过清洁处理的半导体结构进行第二刻蚀,以暴露出所述金属层。本发明的技术方案中在暴露出金属层之前进行一步清洁处理,就可以解决现有技术中会在金属互连结构的底部出现毛刺的问题,方法简单,效果明显。
搜索关键词: 金属 互连 结构 形成 方法
【主权项】:
一种金属互连结构的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体结构,所述半导体结构从下至上形成有金属层、第一层间介质层和第一掩膜层,所述第一掩膜层中具有第一掩膜图形,所述金属层中含Cu,所述第一掩膜层中含Ti;沿第一掩膜层中的第一掩膜图形对第一层间介质层进行第一刻蚀,所述第一刻蚀在露出所述金属层之前停止;利用氟碳化合物气体和Ar的混合气体进行清洁处理;继续以第一掩膜层为掩膜,沿第一掩膜图形对经过清洁处理的半导体结构进行第二刻蚀,以暴露出所述金属层。
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