[发明专利]存储、模拟和数字功能分离的三维存储器有效
申请号: | 201310080698.8 | 申请日: | 2013-03-13 |
公开(公告)号: | CN103633092A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 张国飙 | 申请(专利权)人: | 成都海存艾匹科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;G06F11/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610041 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 发明提出一种存储、模拟和数字功能分离的三维存储器,它含有至少一单独的三维阵列芯片(30)、一单独的读/写电压产生器芯片(40)和一单独的地址/数据转换器芯片(40*)。读/写电压产生器芯片(40)为三维阵列芯片(30)提供读/写电压,地址/数据转换器芯片(40*)将主机的地址/数据(54)与三维阵列芯片(30)的地址/数据(58)相互转换。该三维存储器支持多个三维阵列芯片(30a,30b…)。 | ||
搜索关键词: | 存储 模拟 数字 功能 分离 三维 存储器 | ||
【主权项】:
一种三维存储器(50),其特征在于包括:一三维阵列芯片(30),该三维阵列芯片(30)含有至少一三维存储阵列(22aa…),该三维存储阵列(22aa…)含有多个相互堆叠的存储层(16A, 16B…);一读/写电压产生器芯片 (40),该读/写电压产生器芯片(40)为该三维阵列芯片(30)提供至少一与电源电压(VDD)不同的读电压(VR)和/或写电压(VW);一地址/数据转换器芯片(40*),该地址/数据转换器芯片(40*)将主机的地址/数据(54)与该三维阵列芯片(30)的地址/数据(58)相互转换;所述三维阵列芯片(30)、所述读/写电压产生器芯片 (40)和所述地址/数据转换器芯片(40*)为三个不同的芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的