[发明专利]半导体装置及用于制造半导体装置的方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及用于制造半导体装置的方法。第一导电类型的第一半导体区从掺杂有第一掺杂剂和第二掺杂剂的半导体基材形成。第一掺杂剂和第二掺杂剂为不同的物质且与半导体基材也不同。第一掺杂剂为电活性的并引发半导体基材中的第一导电类型的掺杂，并且引发纯的未掺杂的第一半导体区的晶格常数的减小或增大。第二掺杂剂可为电活性的，并可为与第一掺杂剂相同的掺杂类型，引发以下各项中的一者或两者第一半导体区的硬化；分别地，如果第一掺杂剂引发减小，那么纯的未掺杂的第一半导体区的晶格常数增大；如果第一掺杂剂引发增大，那么纯的未掺杂的第一半导体区的晶格常数减小。

主权项

一种半导体装置，包括外延生长的第一导电类型的第一半导体区，其中，所述第一半导体区包括掺杂有第一掺杂剂和第二掺杂剂的半导体基材，其中：所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂在外延生长所述第一半导体区期间被引入；所述第一掺杂剂是磷且所述第二掺杂剂是砷和锑中的一种；以及所述半导体基材是硅和碳化硅中的一种；其中，所述第一半导体区上具有外延生长的外延层，所述外延层的掺杂浓度比所述第一半导体区的掺杂浓度小；并且其中，在所述外延层中形成有晶体管的至少一个p掺杂本体区。