[发明专利]提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法有效
| 申请号： | 201310081898.5 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103199013A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法，通过采用SiCoNi清洗工艺对PMOS衬底进行预清洗后，于该衬底上继续生长栅氧层后，进行退火工艺，以使得制备的PMOS器件的NBTI能够得到有效的改善，且降低了BF2的注入的同时，还避免如鼓包等缺陷的产生，进而提高产品的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 pmos 栅氧负 偏压 温度 不稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于，包括：采用预清洗工艺对一半导体衬底的表面进行处理；继续对所述半导体衬底进行栅氧生长工艺后，进行退火工艺；其中，所述预清洗工艺为SiCoNi清洗工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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