[发明专利]一种磁电阻薄膜的制备及平面霍尔效应提高的方法

摘要

一种磁电阻薄膜的制备及平面霍尔效应提高的方法，属于磁性薄膜领域。其特征是在基片/NiFe或NiCo和NiFe或NiCo/Ta界面上插入MgO、Al2O3、SiO2、ZnOPt、Ir、Au等。利用强“镜面散射”的纳米氧化物材料和强自旋-轨道耦合的材料改善薄膜中输运电子的散射途径，延长电子的自由程，进而达到提高Ni81Fe19和NiCo薄膜的PHE灵敏度、改善其热稳定性的目的，以满足磁传感器的性能和产品需求。薄膜结构为：基片/（1.0～20.0nm）MgO或Al2O3、SiO2、ZnO、Pt、Ir、Au等/（1.0～200.0nm）Ni81Fe19或NiCo/（1.0～20.0nm）MgO或Al2O3、SiO2、ZnO、Pt、Ir、Au等/（1.0～20.0nm）Ta。

主权项

一种磁电阻薄膜的制备及平面霍尔效应提高的方法，其特征是采用原子百分比，用Ta做保护层；在Ni81Fe19或者NiCo两边表面沉积MgO或者Al2O3、SiO2、ZnO、Pt、Ir、Au；实施方案是，溅射靶材为Ta靶、Ni81Fe19靶、NiCo靶、MgO靶、Al2O3靶、SiO2靶、ZnO靶、 Pt靶、Ir或Au靶，其中Al2O3、MgO、SiO2、ZnO纳米氧化层采用直接溅射氧化物靶材的方法；Ni81Fe19靶、NiCo靶、Pt靶、Ir 靶、Au靶或Ta靶采用磁控溅射方法；化学分析确定最终沉积薄膜成分为81Ni:19Fe，并且控制薄膜杂质含量小于0.1%。