[发明专利]对在半导体芯片中的环境状况的检测有效

专利信息
申请号: 201310082881.1 申请日: 2013-03-15
公开(公告)号: CN103308095A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: H-J.巴特;H.鲍迈斯特;P.鲍姆加特纳;P.里斯;J.威勒达克吕格 申请(专利权)人: 英特尔移动通信有限责任公司
主分类号: G01D21/00 分类号: G01D21/00;G01N27/22;H01L23/64
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 蒋骏;卢江
地址: 德国诺*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 描述了一种可以能够可再生地测量极小电容及其变化的电容传感器和测量电路。该电容可以根据本地环境状况,比如机械应力(例如翘曲或剪应力)、机械压力、温度和/或湿度,而变化。可能所期望的是,提供集成到半导体芯片中的电容器,该电容器足够小且对精确测量预期半导体芯片所经历的状况敏感。
搜索关键词: 半导体 芯片 中的 环境 状况 检测
【主权项】:
一种电路,包括:第一晶体管,具有栅极且还具有电流通路,该电流通路由第一晶体管的栅极控制且耦合在第一输入节点和电容器的第一节点之间;第二晶体管,具有栅极且还具有电流通路,该电流通路由第二晶体管的栅极控制且耦合在第二输入节点和电容器的第一节点之间;第三晶体管,具有栅极且还具有电流通路,该电流通路由第三晶体管的栅极控制且耦合在第三输入节点和电容器的第二节点之间;和第四晶体管,具有栅极且还具有电流通路,该电流通路由第四晶体管的栅极控制且耦合在第四输入节点和电容器的第二节点之间,其中,第一和第二晶体管要么都是n型晶体管,要么都是p型晶体管,且第三和第四晶体管要么都是n型晶体管,要么都是p型晶体管。
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