[发明专利]纯铝靶的制造方法无效
| 申请号： | 201310083147.7 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN104046931A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 洪胤庭;邱军浩;黄宏胜 | 申请（专利权）人： | 中国钢铁股份有限公司 |
| 主分类号： | C22F1/04 | 分类号： | C22F1/04;C21D8/02;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐晶;权陆军 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种纯铝靶的制造方法，其中将铝锭进行重复数次的降温与压延步骤，藉此缩小铝靶的晶粒尺寸并具有一致的结晶方向性后，再进行热处理使铝靶再结晶。由此所得的纯铝靶的晶粒尺寸较小且具有一致的结晶方向性，可提升纯铝靶的溅镀速率，进而改善溅镀的铝薄膜的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 纯铝靶 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种纯铝靶的制造方法，包括：进行第一降温步骤，包括将铝锭放入液态氮中，使该铝锭的温度为0℃至‑70℃，其中该铝锭的纯度介于99.99%至99.999%；进行至少一个第一压延步骤，使该铝锭形成具有第一厚度的第一铝板，其中该第一厚度为50mm至150mm，且该第一铝板的温度为0℃至60℃；进行第二降温步骤，包括将该第一铝板放入该液态氮中，使该第一铝板的温度为0℃至‑70℃；进行至少一个第二压延步骤，使该第一铝板形成具有第二厚度的第二铝板，其中该第二厚度为20mm至50mm，且该第二铝板的温度为40℃至70℃；进行第三降温步骤，使该第二铝板的温度为20℃至30℃；进行热处理步骤，包括于大气或保护性气体中，在100℃至350℃的温度下，处理该第二铝板，以形成第一铝靶；以及进行第四降温步骤，用以降温该第一铝靶，以形成该纯铝靶，其中该纯铝靶的一次再结晶的晶粒尺寸为30微米至50微米，且该纯铝靶具有{100}<001>立方集合组织。
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