[发明专利]一种有机硅单体合成用的三元铜系催化剂及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310083187.1 申请日: 2013-03-15
公开(公告)号: CN103143358A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 张新涛;李娟;范桂芳;宋谋通;张科翠;陈国栋 申请(专利权)人: 金川集团股份有限公司
主分类号: B01J23/72 分类号: B01J23/72;C07F7/16
代理公司: 甘肃省知识产权事务中心 62100 代理人: 田玉兰
地址: 737103*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开一种有机硅单体合成用的三元铜系催化剂及其制备方法包括:将氧化铜破碎至粒度为1~10μm;用氨分解后的氢气和氮气作为还原气,在200~450℃的还原炉中将氧化铜还原为金属铜粉;将还原后的金属铜粉装入流化床中,并经床底通入氧气气压不超过0.015MPa的氮氧混合气,于100~250℃的温度下使金属铜氧化2~7小时后,即制得含氧化亚铜、金属铜及氧化铜的铜催化剂成品,其组成包含的成分及重量百分比为:氧化亚铜20~40%、金属铜40~80%、氧化铜 1~12%。本发明采用氧化铜原料杂质含量低,在有机硅单体的合成中不引入杂质,制备过程中对反应设备要求简单,且过程不产生三废,采用氧化铜还原后氧的离去产生了大量的孔,提高催化剂活性和选择性。
搜索关键词: 一种 有机硅 单体 合成 三元 催化剂 及其 制备 方法
【主权项】:
一种有机硅单体合成用的三元铜系催化剂的制备方法,其特征在于:所述方法包括:a、原料处理‑‑‑将氧化铜破碎至粒度为1~10μm备用;b、氧化铜还原‑‑‑用氨分解后的氢气和氮气作为还原气,在200~450℃的还原炉中将氧化铜还原为金属铜粉;c、金属铜粉的部分氧化‑‑‑将还原后的金属铜粉装入流化床中,并经床底通入氧气不超过0.015MP和氮氧混合气,于100~250℃的温度下使金属铜氧化 2~7小时后,即制得含氧化亚铜、金属铜及氧化铜的铜催化剂成品。
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