[发明专利]评价引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命的方法有效
申请号: | 201310083765.1 | 申请日: | 2013-03-15 |
公开(公告)号: | CN103197226A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 罗俊;李晓红;许斌;邓永芳;刘凡;秦国林;徐学良;胡波;王健安;陈光炳 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明提供一种引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命评估方法。该方法包括步骤:选取筛选合格的样品随机分为若干组;测试并计算一组样品内部的相对湿度及键合丝的键合强度平均值;利用恒定温度应力、温度循环和恒定湿热三组加速应力进行加速寿命试验,进行恒定湿热试验的样品应先开盖;每间隔一定时间检测样品的敏感参数;确定产品的敏感参数及其寿命分布类型,拟合得到分布参数;计算样品的平均寿命;根据不同应力条件下样品平均寿命计算加速模型的模型参数和加速因子;外推出样品实际贮存条件下的寿命。本发明方法的试验应力选择合理,监测参数全面,能准确地判别敏感参数,它主要应用于半导体模拟集成电路可靠性评估领域。 | ||
搜索关键词: | 评价 引线 气密性 封装 模拟 集成电路 贮存 寿命 方法 | ||
【主权项】:
一种评价引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在筛选合格的采用引线键合气密性封装的模拟集成电路中抽取≥600只的电路样品,给每只电路样品编号,依据产品详细规范对每只电路样品进行全参数测试,记录被测电路样品的全部电参数值,随机分为≥13组;(2)取其中一组电路样品,测试电路样品封装内部的水汽含量,计算出电路样品封装内部的相对湿度,再计算出此组电路样品封装内部相对湿度的平均值,以此封装内部相对湿度平均值作为实际贮存条件下气密性封装模拟集成电路封装内部相对湿度值;(3)将完成步骤(2)之后的电路样品开盖,测试电路样品内部连接芯片的键合丝键合强度,计算出键合丝键合强度的平均值,以此作为实际贮存条件下气密性封装模拟集成电路键合丝的键合强度值;(4)随机选取一组电路样品,分别在不同的温度下进行恒定温度高温贮存加速试验、不同的温度与湿度组合下进行恒定湿热加速试验、不同的温度循环条件下进行温度循环加速试验,其中,进行恒定湿热加速试验的电路样品应先开盖,通过摸底试验,确定合适的较高加速应力条件和电路的敏感参数;(5)随机选择≥11组的电路样品,在步骤(4)确定的合适的较高加速应力条件下分别进行恒定高温、恒定湿热和温度循环加速贮存试验,每间隔500~1000小时,检测电路样品的漏率,对漏率合格的电路样品测试,记录贮存后电路样品的敏感电参数值,在敏感电参数合格的电路样品中,抽取1~2只电路样品,测试其键合丝的键合强度值;(6)试验结束后,利用寿命分布图示法对试验数据进行分析,分别确定电路样品敏感电参数和键合丝键合强度退化的寿命分布类型,采用极大似然法对寿命分布函数的参数进行拟合,分别得到它们的寿命分布函数;(7)根据步骤(6)得到的寿命分布函数,分别计算电路样品的敏感电参数和键合丝键合强度退化的平均寿命;(8)根据不同应力等级条件下电路样品的电参数和键合丝键合强度退化的平均寿命,分别计算确定加速模型的模型参数,并以此计算电路样品的加速因子;(9)根据步骤(7)和步骤(8)的结果,推算出电路样品在实际贮存条件下的贮存寿命。
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