[发明专利]发光二极管封装结构以及相关制造方法有效
| 申请号： | 201310084013.7 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103855272B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 谢新贤;黄田昊;吴上义;吴奕均 | 申请（专利权）人： | 联京光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 发光二极管封装结构包括一金属基板、一凹槽结构、一发光二极管、及一反射层。其中，金属基板的表面上涂布一绝缘层与一线路层，该绝缘层介于线路层与金属基板间。凹槽结构设置于金属基板上，且凹槽结构围绕着发光二极管，且线路层电性连接该发光二极管。该反射层至少设置于该凹槽结构的一第一表面上，该第一表面围绕并面向着该发光二极管，且发光二极管所发出的部分光线被该反射层所反射。本发明的有益效果是能够有效提升发光二极管晶粒的光萃取效率，提供给使用者更大的便利性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 以及 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：一金属基板，该金属基板上形成有一凹槽；一绝缘层，位于该金属基板上方；一线路层，位于该绝缘层上方；一凹槽结构，该凹槽结构设置于该金属基板上之该凹槽周围，且该凹槽结构是凸起于该金属基板之表面；一反射层，设置于该凹槽结构的一第一表面上与该凹槽之表面上；以及一发光二极管，设置于该凹槽结构中，且该发光二极管与该线路层电性连接。
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