[发明专利]单羟基修饰八乙烯基笼型倍半硅氧烷及其制备方法有效
| 申请号： | 201310084358.2 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103159795A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 陈广新;徐毅辉;李齐方;张文静 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单羟基修饰八乙烯基笼型倍半硅氧烷及其制备方法。笼型倍半硅氧烷即可以作为有机无机杂化材料的前驱体，也在液晶材料，阻燃材料，电致发光材料上有极大的应用潜力。而这其中，笼型倍半硅氧烷在基体中的分散性是发挥其性能的核心问题。目前能够合成的官能化笼型倍半硅氧烷均为单一活性，也通常具有过程复杂，成本较高，产率低的劣势。本发明已工业化的乙烯基笼型倍半硅氧烷为原料，以三氟甲磺酸基修饰体为过渡，经过水解得到单羟基修饰八乙烯基笼型倍半硅氧烷，该方法成本低，过程简单，产率高，适合大规模工业化生产，同时也在POSS上接枝两种反应活性的官能团，极大提高其接枝改性的选择范围，具有良好的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 羟基 修饰 乙烯基 笼型倍半硅氧烷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单羟基修饰八乙烯基笼型倍半硅氧烷，其结构式如下：![]()
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