[发明专利]防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法无效
| 申请号： | 201310084520.0 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103258795A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;甘志峰;董献国 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;G03F7/40 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法，包括：在已经形成浅隔绝沟道并且沉积了氧化硅薄膜的硅片上涂布光刻胶；完成对光刻胶的曝光和显影，以暴露出氧化硅薄膜的将要湿法刻蚀的第一氧化硅区域和受到光刻胶保护的第二氧化硅区域；在曝光和显影之后，在执行显影的同一显影机台内，在光刻胶图形上涂布化学微缩材料，并且加热使化学微缩材料与光刻胶表面反应形成高分子交联的保护膜，从而固化光刻胶图形，随后去除多余的化学微缩材料；执行湿法刻蚀以部分去除第一氧化硅区域上的氧化硅薄膜；去除剩余光刻胶后可再次沉积氧化硅薄膜，从而在第一氧化硅区域和第二氧化硅区域形成不同厚度的氧化硅薄膜双栅氧。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 光刻 湿法 刻蚀 产生 缺陷 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法，其特征在于包括：在已经形成浅隔绝沟道并且沉积了氧化硅薄膜的硅片上涂布光刻胶；完成对光刻胶的曝光和显影，以暴露出氧化硅薄膜的将要湿法刻蚀的第一氧化硅区域和受到光刻胶保护的第二氧化硅区域；在曝光和显影之后，在执行显影的同一显影机台内，在光刻胶图形上涂布化学微缩材料，并且加热使化学微缩材料与光刻胶表面反应形成高分子交联的保护膜，从而固化光刻胶图形，随后去除多余的化学微缩材料；执行湿法刻蚀以部分去除第一氧化硅区域上的氧化硅薄膜；去除剩余光刻胶后可再次沉积氧化硅薄膜，从而在第一氧化硅区域和第二氧化硅区域形成不同厚度的氧化硅薄膜双栅氧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
