[发明专利]预防晶圆破裂的监控方法有效
| 申请号： | 201310084533.8 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103208444B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 朱陆君;陈宏璘;龙吟;倪棋梁;郭贤权 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种预防晶圆破裂的监控方法，包括：获得标准缺陷信号特征；得待检测晶圆的边缘缺陷信号特征；将所述待检测晶圆的边缘信号特征与所述标准缺陷信号特征进行比较，若所述待检测晶圆的边缘信号特征与所述标准缺陷信号特征匹配，则所述判断所述待检测晶圆为具有缺口缺陷的晶圆，存在破裂风险。本发明解决的问题是提供一种能够预防晶圆破裂的监控方法，对晶圆进行监控，提前发现并且处理存在破裂风险的晶圆，减少晶圆破裂引起颗粒缺陷以及产品良率降低等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 预防 破裂 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种预防晶圆破裂的监控方法，其特征在于，包括：对已知的边缘具有缺口缺陷的晶圆的边缘进行扫描，获得标准缺陷信号特征；获得待检测晶圆的边缘缺陷信号特征；将所述待检测晶圆的边缘信号特征与所述标准缺陷信号特征进行比较，若所述待检测晶圆的边缘信号特征与所述标准缺陷信号特征匹配，则判断所述待检测晶圆为具有缺口缺陷的晶圆，存在破裂风险。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
