[发明专利]晶圆表面凹陷缺陷的处理方法在审
| 申请号： | 201310084541.2 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103165412A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 朱陆君;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆表面凹陷缺陷的处理方法，所述晶圆上形成有第一介质层，所述第一介质层表面具有凹陷，包括：在所述第一介质层上填充第二阻挡层，所述第二阻挡层至少填充满所述凹陷；去除位于所述凹陷区域以外的多余的第二阻挡层。本发明减少了由于凹陷对晶圆的良率的影响，以及减小凹陷引起的二次缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 凹陷 缺陷 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆表面凹陷缺陷的处理方法，所述晶圆上形成有第一介质层，所述第一介质层表面具有凹陷，其特征在于，包括：在所述第一介质层上填充第二阻挡层，所述第二阻挡层至少填充满所述凹陷；去除位于所述凹陷区域以外的多余的第二阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
