[发明专利]一种高温CMUT压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310084858.6 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103196613A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 赵立波;李支康;蒋庄德;叶志英;王久洪;王苑;赵玉龙;苑国英 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高温CMUT压力传感器及其制备方法，其整体结构从上至下依次为：第一碳化硅层、第一氮化硅层、第二碳化硅层、第二氮化硅层、和第三碳化硅层；第一氮化硅层、第二碳化硅层和第二氮化硅层周围部分和中间部分均被空腔在横向方向上隔开；通孔贯穿第三碳化硅层；所述第二氮化硅层中间部分覆盖在第三碳化硅层上侧和通孔的内表面；在通孔中的氮化硅层内表面上覆盖有电连接金属层与下电极形成电连接；有效减小了充电现象对传感器工作性能的影响；有效减小了高温环境中寄生电容及其对传感器检测灵敏度的影响；采用碳化硅层和氮化硅层交替的对称式结构设计能有效减小高温环境中温度应力对传感器测量精确度的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 cmut 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高温CMUT压力传感器，其特征在于：其整体结构从上至下依次为：第一碳化硅层（1）、第一氮化硅层（4）、第二碳化硅层（2）、第二氮化硅层（5）、和第三碳化硅层（3）；第一氮化硅层（4）、第二碳化硅层（2）和第二氮化硅层（5）均分为中间部分和周围部分，且周围部分和中间部分均被空腔（14）在横向方向上隔开；第一氮化硅层（4）、第二碳化硅层（2）、第二氮化硅层（5）的周围部分形成空腔（14）的侧壁，第一碳化硅层（1）和第三碳化硅层（3）分别为空腔的顶部和底部，空腔侧壁与空腔底部、顶部一道将空腔（14）密封；第一碳化硅层（1）经离子掺杂形成上电极，第二碳化硅层的中间部分（7）经离子掺杂形成下电极；所述第一氮化硅层中间部分（11）的横向尺寸远小于第二碳化硅层中间部分（7）的横向尺寸，第三碳化硅层（3）中间设置有通孔（9），通孔（9）贯穿第三碳化硅层（3），通孔（9）横向尺寸小于下电极的横向尺寸；所述第二氮化硅层中间部分（12）覆盖在第三碳化硅层（3）上侧和通孔（9）的内表面；在通孔（9）中的氮化硅层内表面上覆盖有电连接金属层（15），电连接金属层（15）顶部与下电极形成电连接；所述第一碳化硅层（1）、第二碳化硅层（2）和第三碳化硅层（3）的材料可换为金刚石，第一氮化硅层（4）和第二氮化硅层（5）的材料可换为二氧化硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310084858.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：微粒化装置的性能评价方法以及尺度上推方法
- 下一篇：治疗代谢疾病的药物组合
