[发明专利]微机电可调氮化物谐振光栅及其双面加工方法有效
申请号: | 201310085335.3 | 申请日: | 2013-03-18 |
公开(公告)号: | CN103185909A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 王永进;施政;高绪敏;贺树敏;李欣;于庆龙 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18;G03F7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 江苏爱信律师事务所 32241 | 代理人: | 刘琦 |
地址: | 210003 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅,实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了双面加工法制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法;该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上,采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀等技术定义和刻蚀器件,采用背后对准工艺和深硅刻蚀技术,去除微机电可调氮化物谐振光栅下方的高阻硅衬底,然后采用三五族刻蚀技术对微机电可调氮化物光栅进行背后减薄,完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成;通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数,从而达到改变器件光学性能的目的。 | ||
搜索关键词: | 微机 可调 氮化物 谐振 光栅 及其 双面 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种微机电可调氮化物谐振光栅,其特征在于,在高阻硅衬底氮化物晶片的氮化物层上,设置有第一极性区域(1)、第二极性区域(2)、隔离所述第一极性区域(1)和第二极性区域(2)的隔离槽(3),所述第一极性区域(1)上设置有固定梳齿(11),所述第二极性区域(2)上设置有依次连接的谐振光栅结构(21)、弹簧结构(22)和可移动梳齿(23),所述可移动梳齿(23)与固定梳齿(11)相对错开设置。
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