[发明专利]PZT系铁电薄膜及其制造方法无效
| 申请号： | 201310085420.X | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103359786A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 野口毅;土井利浩;樱井英章;渡边敏昭;曽山信幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C01G25/00 | 分类号： | C01G25/00;C04B35/622;C04B35/491 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其制造方法，该PZT系铁电薄膜具备与以往的铁电薄膜同等的介电特性的同时具备更高的寿命可靠性。本发明的PZT系铁电薄膜，其形成于具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上，其中，PZT铁电薄膜具备：取向控制层，形成于下部电极上且择优晶体取向被控制在（100）面，层厚在45nm～150nm的范围内；及膜厚调整层，形成于取向控制层上且具有与取向控制层的晶体取向相同的晶体取向；在取向控制层与膜厚调整层之间形成界面。 | ||
| 搜索关键词： | pzt 系铁电 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种PZT系铁电薄膜，其形成于具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的所述下部电极上，其特征在于，所述PZT系铁电薄膜具备：取向控制层，形成于所述下部电极上且择优晶体取向被控制在（100）面，层厚在45nm～150nm的范围内；及膜厚调整层，形成于所述取向控制层上且具有与所述取向控制层的晶体取向相同的晶体取向；在所述取向控制层与所述膜厚调整层之间具有界面。
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