[发明专利]非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法有效
申请号: | 201310085910.X | 申请日: | 2013-03-18 |
公开(公告)号: | CN103456602A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 王新中;唐飞;李世国;张宗平;何国荣;谢华 | 申请(专利权)人: | 深圳信息职业技术学院 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518172 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法。该非极性面氮化镓纳米锥材料包括依次层叠结合的铝酸锂衬底、氮化镓缓冲层和氮化镓模板层以及生长在所述氮化镓模版层外表面的氮化镓纳米锥。其制备方法包括获取铝酸锂衬底、外延氮化镓缓冲层、外延氮化镓模板层和生长氮化镓纳米锥的步骤。本发明非极性面氮化镓纳米锥材料在氮化镓层外表面生长有氮化镓纳米锥,且该氮化镓纳米锥阵列分布。同时,该无金属杂质污染,晶体质量高。其制备方法直接采用HCl气体辅助生长氮化镓纳米锥,避免了使用催化剂或其它掩膜;另外,根据应用需求可以对氮化镓纳米锥阵列的质量、结构,该方法简单易行,对于退火设备要求不高。 | ||
搜索关键词: | 极性 氮化 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法,包括如下步骤:获取铝酸锂衬底;在所述铝酸锂衬底上外延氮化镓缓冲层;在所述缓冲层外表面外延氮化镓模板层;通过HCl气体辅助生长,在所述氮化镓模板层上于700~900℃生长非极性氮化镓纳米锥。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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