[发明专利]堆叠光二极管结构及光传感器

摘要

一种堆叠光二极管结构及光传感器，堆叠光二极管结构包括第一导电类型基板、第二导电类型井区与第一导电类型井区。第一导电类型基板具有第一表面。第二导电类型井区形成于第一导电类型基板内且邻近第一表面。第一导电类型井区形成于第二导电类型井区内且邻近第一表面。介于第一导电类型井区与第二导电类型井区之间的第一PN接面产生主要响应于可见光的自由电子。介于第二导电类型井区与第一导电类型基板的第二PN接面产生主要响应于红外光的自由电子和空穴。第一导电类型井区的端点产生的第一光电流与第二导电类型井区的端点产生的第二光电流的差异代表红外光的强度。

主权项

一种堆叠光二极管结构，其特征在于，包括：一第一导电类型基板，具有一第一表面以及一接地端；一第二导电类型井区，形成于该第一导电类型基板内且邻近该第一表面；以及一第一导电类型井区，形成于该第二导电类型井区内且邻近该第一表面；其中，介于该第一导电类型井区与该第二导电类型井区之间的一第一PN接面依据对应于入射该第一表面的可见光频谱而产生自由电子；其中，介于该第二导电类型井区与该第一导电类型基板的一第二PN接面主要依据对应于入射该第一表面的红外光频谱而产生自由空穴和自由电子。