[发明专利]用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区在审
| 申请号： | 201310086355.2 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103839993A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 褚为利;朱阳军;田晓丽;张文亮;陆江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区，包括：在正面结构中，包括衬底、场限环、覆盖场限环的氧化层或者钝化层、绝缘栅双极晶体管IGBT元包的基区、IGBT元包的发射极及发射极金属电极，所述场限环的掺杂类型与衬底相反，IGBT元包的基区掺杂类型与衬底相反，IGBT元包的发射极掺杂类型与衬底相同；在背面结构中，采用一层掩膜版对有源区的背面进行P型注入，形成P型发射极，而终端区发射极的位置保持N型掺杂。本发明还公开了另外两种用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区。本发明将终端背面的集电区P型层用绝缘物质代替，避免了器件关断过程中元包发生闩锁并最终失效。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 绝缘 双极晶体管 防闩锁 终端 | ||
【主权项】：
一种用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区，其特征在于，包括：在正面结构中，包括衬底（501）、场限环（505）、覆盖场限环（505）的氧化层或者钝化层（506）、绝缘栅双极晶体管IGBT元包的基区（503）、IGBT元包的发射极（504）及发射极金属电极（508），所述场限环（505）的掺杂类型与衬底（501）相反，IGBT元包的基区（503）掺杂类型与衬底（501）相反，IGBT元包的发射极（504）掺杂类型与衬底（501）相同；在背面结构中，采用一层掩膜版对有源区的背面进行P型注入，形成P型发射极（502A），而终端区发射极的位置保持N型掺杂（502B）。
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