[发明专利]功率集成电路器件

摘要

本发明涉及功率集成电路器件，所述功率集成电路器件包括主横向高压场效应晶体管（HVFET）和邻近定位的横向sense FET，该HVFET和sense FET两者都形成在一高电阻率衬底上。检测电阻器形成于布置在该HVFET和sense FET之间的所述衬底的一区域中的阱区中。衬底寄生电阻器形成为与该HVFET的和sense FET的源极区之间的该检测电阻器并联地电连接。两个晶体管器件共用公共的漏极和栅极电极。当该主横向HVFET和sense FET处于导通状态时，在第二源极金属层处产生一电势，该电势与流过该横向HVFET的第一电流成比例。