[发明专利]一种电化学制备Zn4Sb3薄膜的方法无效
| 申请号： | 201310087975.8 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103147105A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 钟绵增;吴宗泽;孟秀清;李庆跃;李凯;李京波 | 申请（专利权）人： | 黄山市东晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04 |
| 代理公司： | 金华科源专利事务所有限公司 33103 | 代理人： | 胡杰平 |
| 地址： | 245000 安徽省黄山市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备热电材料的方法,特别是一种电化学制备Zn4Sb3薄膜的方法,具体是：利用化学清洗剂将ITO玻璃清洗干净，作为工作电极；将SbCl3和Zn(NO3）2·6H2O（或ZnCl2）分别溶解在有机溶剂中，并将溶解后的两溶液混合，使SbCl3：Zn(NO3）2·6H2O（或ZnCl2）的范围介于1:1-1:4；利用Pt片作为对电极，饱和氯化银电极作为参比电极，用焊接有铜导线的ITO玻璃作为工作电极，连接好设备进行电化学沉积；将沉积好的薄膜用清洗液清洗并用氮气吹干，得到Zn4Sb3薄膜。本发明简单易行，制备出的Zn4Sb3薄膜质量好，制备过程中不需要苛刻的实验条件，非常有利于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电化学 制备 zn sub sb 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种电化学制备Zn4Sb3薄膜的方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤A：利用化学清洗剂将ITO玻璃清洗干净，作为工作电极；步骤B：将SbCl3和Zn(NO3）2·6H2O（或ZnCl2）分别溶解在有机溶剂中，并将溶解后的两溶液混合,使SbCl3：Zn(NO3）2·6H2O的范围介于1:1‑1:4；步骤C：利用Pt片作为对电极，饱和氯化银电极作为参比电极，用焊接有铜导线的ITO玻璃作为工作电极，连接好设备进行电化学沉积；步骤D：将沉积好的薄膜用清洗液清洗并用氮气吹干，得到Zn4Sb3薄膜。
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