[发明专利]多晶硅锭及其制造方法有效
| 申请号： | 201310088039.9 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103132142A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 潘家明;李孟;方军杰 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多晶硅锭制造方法，包括以下步骤：A、将硅料装载到多晶铸锭炉的坩埚内；B、对所述坩埚进行加热，全部熔化所述硅料，得到硅液；C、对所述坩埚底部进行降温，使硅液从所述坩埚底部开始结晶，直至形成3毫米～30毫米高度的晶粒层；D、对所述坩埚进行升温，使硅液结晶速度降低至5毫米/小时～25毫米/小时之间，包括端点值；E、对所述坩埚进行降温，使结晶速度保持在步骤D中的结晶速度范围，直至多晶硅锭生长完成；其中，步骤C的结晶速度大于步骤D的结晶速度。采用此方法制作的多晶硅锭，晶粒大小均匀，多晶硅锭的缺陷也呈现分散的均匀的分布，因而能够在后续的制绒环节腐蚀出均匀的绒面，从而提高多晶硅电池光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅锭制造方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将硅料装载到多晶铸锭炉的坩埚内；B、对所述坩埚进行加热，全部熔化所述硅料，得到硅液；C、对所述坩埚底部进行降温，使硅液从所述坩埚底部开始结晶，直至形成3毫米～30毫米高度的晶粒层；D、对所述坩埚进行升温，使硅液结晶速度降低至5毫米/小时～25毫米/小时之间，包括端点值；E、对所述坩埚进行降温，使结晶速度保持在步骤D中的结晶速度范围，直至多晶硅锭生长完成；其中，步骤C的结晶速度大于步骤D的结晶速度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英利集团有限公司，未经英利集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310088039.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：脉冲曝气装置
- 下一篇：回收再利用水循环系统
