[发明专利]全差分低噪声放大器在审
| 申请号： | 201310088535.4 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104065355A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 朱红卫;唐敏;刘国军;赵郁炜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03F1/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全差分低噪声放大器，包括共源共栅全差分放大电路和增益切换电路。增益切换电路的两个PMOS管和共源共栅全差分放大电路的两个共栅连接的PMOS管并联，且增益切换电路的两个PMOS管的栅极都接增益控制信号。当增益控制信号由高电平切换为低电平时，增益切换电路的两个PMOS管的源漏导通，全差分低噪声放大器的输出阻抗也减少，全差分低噪声放大器的增益降低。本发明能实现增益切换，并能同时改变P1dB和NF，能适应广泛的无线通讯接收器的电路应用。 | ||
| 搜索关键词： | 全差分 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种全差分低噪声放大器，其特征在于，包括：由第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管组成的共源共栅全差分放大电路，以及由第三PMOS管和第四PMOS管组成的增益切换电路；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极分别通过一个输入匹配网络电路和一对差分输入信号中的一个连接；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极分别和源极负载网络电路相连；所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极相连，所述第二NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极相连；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极都连接电源；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极输出一对差分输出信号；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极分别和输出负载网络电路相连；所述第三PMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极连接，所述第四PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极连接；所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的源极都接电源；所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的栅极都接增益控制信号；所述第三PMOS管和所述第一PMOS管形成并联结构，所述第四PMOS管和所述第二PMOS管形成并联结构；当所述增益控制信号为高电平时，所述第三PMOS管和所述第四PMOS管关断，全差分低噪声放大器处于高增益工作模式；当所述增益控制信号为低电平时，所述第三PMOS管和所述第四PMOS管源漏导通而使所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的信号链路加入，使得所述共源共栅全差分放大电路的输出阻抗减少，所述全差分低噪声放大器处于低增益工作模式，所述低增益工作模式的增益比所述高增益工作模式的增益低。
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