[发明专利]一种室温下原位合成硒化银半导体光电薄膜材料的化学方法有效
| 申请号： | 201310090546.6 | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103145345A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 郑直;王承相;雷岩;魏杰;范丽波 | 申请（专利权）人： | 许昌学院 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张安国;伍见 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供一种室温下原位合成硒化银半导体光电薄膜材料的化学方法。本法将单质Se粉溶解在Na2S的水溶液中形成橙黄色溶液，然后将表面溅射有单质银膜的基底材料和上述溶液共置于同一容器中，在7～35℃的温度范围内经过短时间的反应即可在基底表面原位生长出Ag2Se半导体光电薄膜材料。反应物价格低廉，无须进一步纯化，绿色环保，不需要添加任何表面活性剂或其它化学添加剂；室温反应条件温和，几乎无能耗，对导电基底无影响；反应快捷，操作方便，过程可控。本发明克服了目前Ag2Se半导体薄膜材料制备过程依赖高真空、高能耗、高制作成本、反应物毒性大、成膜过程复杂等缺点，有利于大规模生产和工业应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 室温 原位 合成 硒化银 半导体 光电 薄膜 材料 化学 方法 | ||
【主权项】：
一种室温下原位合成Ag2Se半导体光电薄膜材料的化学方法，其特征在于：将单质Se粉溶解在Na2S的水溶液中形成橙黄色溶液，然后将表面溅射有单质银膜的基底材料和上述溶液共置于同一容器中，先加入溶液后放入基底材料，并保证基底材料浸泡于液面以下，在7～35℃的温度范围内反应，反应时间在1.5min～3h内变化，反应完成后即在基底表面原位制备出Ag2Se半导体光电薄膜材料，所得产物用去离子水洗涤，80℃干燥即可。
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