[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于薄膜晶体管技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管开态电流低且性能不稳定的问题。本发明的薄膜晶体管包括源极、漏极、半导体层、栅极、栅极绝缘层，且还包括：设于所述半导体层表面的、相互间隔的源极导电层和漏极导电层，所述源极导电层与源极相连，所述漏极导电层与漏极相连；且所述源极导电层与漏极导电层间的最短距离小于所述源极与漏极间的最短距离。本发明的薄膜晶体管制备方法包括形成上述源极导电层和漏极导电层的步骤。本发明的阵列基板和显示装置包括上述薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管可用于显示装置中，尤其是用于液晶显示装置、有机发光二极管显示装置。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制备方法，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、半导体层、栅极、栅极绝缘层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设于所述半导体层表面的、相互间隔的源极导电层和漏极导电层，所述源极导电层与源极相连，所述漏极导电层与漏极相连；且所述源极导电层与漏极导电层间的最短距离小于所述源极与漏极间的最短距离；所述薄膜晶体管的制备方法包括：形成包括所述源极导电层和漏极导电层的图形；所述薄膜晶体管的制备方法还包括：通过构图工艺形成包括半导体层的图形；通过构图工艺形成包括位于所述半导体层上的栅极绝缘层以及位于所述栅极绝缘层上的栅极的图形；形成覆盖所述半导体层、源极导电层、漏极导电层、栅极、栅极绝缘层的保护层，并通过构图工艺在所述保护层中形成过孔；通过构图工艺形成包括源极和漏极的图形，所述源极和漏极通过保护层中的过孔分别与源极导电层和漏极导电层相连；其中，所述形成源极导电层和漏极导电层的步骤在形成半导体层的步骤和形成保护层的步骤之间进行；所述半导体层上表面未被所述栅极绝缘层覆盖的部分被栅极绝缘层分割为独立的源极区和漏极区，所述源极导电层和漏极导电层分别覆盖所述源极区和漏极区；所述半导体层为金属氧化物半导体层；所述形成源极导电层和漏极导电层的步骤在形成栅极绝缘层的步骤和形成保护层的步骤之间进行；且，所述形成包括所述源极导电层和漏极导电层的图形包括：通过化学镀工艺在所述半导体层上表面的源极区和漏极区中分别形成源极导电层和漏极导电层。