[发明专利]离子源装置及离子束生成方法有效
| 申请号： | 201310091220.5 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103325648B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 佐藤正辉 | 申请（专利权）人： | 斯伊恩股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J27/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军,蒋巍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子源装置及离子束生成方法。该离子源装置具备如下结构，即在具有等离子体形成用空间的电弧室设置阴极，并且以中间隔着所述等离子体形成用空间地与所述阴极的热电子放射面对置的方式配置反射极。构成为，向所述等离子体形成用空间沿与连结所述阴极和所述反射极的轴平行的方向施加由源极磁场装置感应的外部磁场，并构成为在所述反射极中，在与形成于所述等离子体形成用空间的等离子体中密度最高的部分相对应的部位设置开口部，从该开口部引出离子束。 | ||
| 搜索关键词： | 离子源 装置 离子束 生成 方法 | ||
【主权项】：
一种离子束生成用离子源装置，其特征在于，具备如下结构，该结构为，在具有等离子体形成用空间的电弧室设置放射用于生成使中性分子电离的射束电子的热电子的阴极，并且以中间隔着所述等离子体形成用空间地与所述阴极的热电子放射面对置的方式配置反射极，该离子束生成用离子源装置构成为，向所述等离子体形成用空间沿与连结所述阴极和所述反射极的轴平行的方向施加由源极磁场装置感应的外部磁场F，该离子束生成用离子源装置构成为，在所述反射极中，在与形成于所述等离子体形成用空间的等离子体中密度最高的部分相对应的部位设置开口部，并从该开口部引出离子束，所述开口部设置于与所述电弧室中的离子束的出口开口对置的部位，所述电弧室为筒状。
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