[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，能够按照半导体装置的容许损耗特性设定任意的过电流保护特性，安全且不会降低效率。该半导体装置由以下部分构成：由控制信号进行控制的第一晶体管；感测电压产生电路，其产生感测电压，该感测电压基于与第一晶体管的电流对应的电流和基准电流相加而得到的电流；基准电压电路，其对基准电流电路的电流进行镜像，产生基准电压；放大器，其对由感测电压产生电路产生的电压和基准电压进行比较；以及第二晶体管，其栅极与放大器的输出端子连接，能够使所述第一晶体管截止。

主权项

一种半导体装置，其具有由控制信号进行控制的第一晶体管，其特征在于，该半导体装置具有：基准电流电路，其产生基准电流；感测电压产生电路，其产生感测电压，该感测电压基于与所述第一晶体管的电流对应的电流和所述基准电流相加而得到的电流；基准电压电路，其根据所述基准电流产生基准电压；放大器，其对所述感测电压和所述基准电压进行比较；以及第二晶体管，其栅极与所述放大器的输出端子连接，当所述感测电压超过所述基准电压时，使所述第一晶体管截止。