[发明专利]SDRAM的数据存取电路及SDRAM的数据存取系统有效

专利信息
申请号: 201310092360.4 申请日: 2013-03-21
公开(公告)号: CN103150272B 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 张锦华;张启明 申请(专利权)人: 珠海市杰理科技股份有限公司
主分类号: G06F13/14 分类号: G06F13/14;G11C11/413
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 代理人: 王茹,胡杰
地址: 519085 广东省珠海市吉*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种SDRAM的数据存取电路以及一种SDRAM的数据存取系统。所述SDRAM的数据存取电路包括控制电路、控制信号接口和数据地址接口,所述控制电路与所述控制信号接口连接,并通过所述控制信号接口与SDRAM的控制接口连接;所述控制电路与所述数据地址接口连接,并通过所述数据地址接口同时与SDRAM的地址接口和数据接口连接。通过所述数据地址接口分别传输地址信号和数据信号至SDRAM,因此数据存取电路只需要设置一种数据地址接口,就可以实现对SDRAM的数据存取操作。因此可以减少数据存取电路的接口个数,简化电路的硬件结构,满足电路小面积、低成本的要求,特别适用于小容量、小封装的电子产品。
搜索关键词: sdram 数据 存取 电路 系统
【主权项】:
一种SDRAM的数据存取电路,包括:控制电路和控制信号接口,所述控制电路与所述控制信号接口连接,并通过所述控制信号接口与SDRAM的控制接口连接;其特征在于,还包括数据地址接口,所述控制电路与所述数据地址接口连接,并通过所述数据地址接口同时与SDRAM的地址接口和数据接口连接;在执行SDRAM数据存取时,所述控制电路先通过所述数据地址接口发送地址信号至所述SDRAM,通过所述控制信号接口发送读/写命令至所述SDRAM,然后通过所述数据地址接口输出数据信号至所述SDRAM或者接收所述SDRAM输出的数据信号;进一步包括掩码信号产生电路和掩码信号接口,所述掩码信号产生电路连接所述掩码信号接口,并且通过所述掩码信号接口与SDRAM的掩码接口连接;执行写SDRAM操作时,所述控制电路通过所述控制信号接口输出激活命令,通过所述数据地址接口输出行地址信号;经过至少一个时钟后,所述控制电路通过所述控制信号接口输出写命令,通过所述数据地址接口输出列地址信号,同时,所述掩码信号产生电路通过所述掩码信号接口输出写数据无效的掩码信号;在所述写数据无效的掩码信号结束后,所述控制电路通过所述数据地址接口输出数据信号。
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