[发明专利]CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器有效
申请号: | 201310092493.1 | 申请日: | 2013-03-21 |
公开(公告)号: | CN103137642A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 郭同辉;唐冕;陈杰;刘志碧;旷章曲 | 申请(专利权)人: | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;赵镇勇 |
地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器,属于图像传感领域。该CMOS图像传感器的像素单元由4个像素排列成2×2像素背靠背式阵列结构,其中第一列的两像素和第二列的两个像素分别在各自列内共享行选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管和漂浮有源区;第一列像素的复位晶体管的漏极、源跟随晶体管的源极以及第二列像素中的行选择晶体管的漏极相互连接。在像素单元中,省去了行选择晶体管栅极时序控制金属线,电源线和列像素信号输出线共享一条列金属线。因此本发明的像素阵列能够有效提高小面积像素传感器的用光效率,从而提高灵敏度,所以本发明有效提高了小面积像素图像传感器的图像品质。 | ||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 像素 单元 | ||
【主权项】:
一种CMOS图像传感器的像素单元,其特征在于,包括:具有光电二极管和与光电二极管连接的电荷传输晶体管的像素,像素为4个排列成2×2像素背靠背式阵列结构,每一列像素中设置行选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管和漂浮有源区,每一列的两个像素共享列内设置的所述行选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管和漂浮有源区;所述第一列像素的复位晶体管的漏极、源跟随晶体管的源极以及所述第二列像素中的行选择晶体管的漏极相互连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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