[发明专利]微电子机械系统的加工方法有效
| 申请号： | 201310092536.6 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104058362B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 章安娜;李晓明 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G03F7/40 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种微电子机械系统的加工方法，包括如下步骤在硅片上形成基材层；在所述基材层上形成光刻胶图案层；对整个硅片进行加热和紫外线照射处理；进行干法刻蚀。上述方法由于经过加热处理和紫外线照射，使得光刻胶抗刻蚀的能力增强，不会出现如传统技术中因光刻胶侧边被过度腐蚀而微机械结构的尺寸偏大的问题。因此可以保证孔刻蚀尺寸的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 机械 系统 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种微电子机械系统的加工方法，包括如下步骤：在硅片上形成基材层；所述基材层采用聚酰亚胺材料制成；在所述基材层上形成光刻胶图案层；对整个硅片进行加热和紫外线照射处理，处理的时间为1～1.5分钟；进行干法刻蚀；所述对整个硅片进行加热和紫外线照射处理的步骤中，先进行加热处理，再进行紫外线照射处理；所述紫外线的频率为2.45GHz；所述紫外线的强度为100～125mW/cm2；所述加热处理的温度为110～130℃。
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