[发明专利]溅射靶材及导电金属氧化物薄膜有效
| 申请号： | 201310092782.1 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103849842B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 卢明昌;尹新淳;张智咏;曾浤豪 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司31266 | 代理人： | 须一平 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种溅射靶材，包含铟、第一金属、第二金属，及氧，基于铟、第一金属及第二金属的原子总含量以100at.%计，铟的原子含量范围为10至20at.%，第一金属的原子含量范围为60至80at.%，第二金属的原子含量范围为10至20at.%，其中，第一金属选自锌、锡，及前述的组合，第二金属选自铝、钛，及前述的组合。本发明还提供利用该溅射靶材经溅射所形成的导电金属氧化物薄膜，该导电金属氧化物薄膜的电阻率高，进而维持该导电金属氧化物薄膜的预定厚度不被缩减且不易破损，有效提高该导电金属氧化物薄膜应用于光电元件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 导电 金属 氧化物 薄膜 | ||
【主权项】：
一种溅射靶材，其特征在于，包含：铟、一第一金属、一第二金属，及氧，基于铟、该第一金属及该第二金属的原子总含量以100at.％计，铟的原子含量范围为10至20at.％，该第一金属的原子含量范围为60至80at.％，该第二金属的原子含量范围为10至20at.％，其中，该第一金属为锌及锡的组合，该第二金属为铝。
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