[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201310092799.7 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104064452A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 何永根;陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在衬底中形成有隔离结构，隔离结构将衬底隔离为第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区的类型相反；在衬底上形成高K介质层、位于高K介质层上的导电层，将位于第一有源区的导电层定义为第一导电层，位于第二有源区的导电层定义为第二导电层；对第一导电层和/或第二导电层进行功函数调整；进行功函数调整后，图形化第一导电层、第二导电层和高K介质层，形成位于第一有源区的第一栅极及位于第一栅极下的第一高K栅介质层，位于第二有源区的第二栅极及位于第二栅极下的第二高K栅介质层。本发明通过对第一导电层和/或第二导电层进行功函数调整，不使用刻蚀工艺，不会损伤高K介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述衬底中形成有隔离结构，所述隔离结构将衬底隔离为第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区的类型相反；在所述衬底上形成高K介质层、位于高K介质层上的导电层，将位于第一有源区的导电层定义为第一导电层，位于第二有源区的导电层定义为第二导电层；对所述第一导电层和/或第二导电层进行功函数调整；进行功函数调整后，图形化所述第一导电层、第二导电层和高K介质层，形成位于第一有源区的第一栅极及位于第一栅极下的第一高K栅介质层，位于第二有源区的第二栅极及位于第二栅极下的第二高K栅介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
