[发明专利]基于卤化钙阴极缓冲层的有机光伏器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201310092818.6 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103165814A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 曲波;高志;肖立新;陈志坚;龚旗煌 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L51/44 | 分类号： | H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于卤化钙阴极缓冲层的有机光伏器件及其制备方法。通过引入卤化钙作为阴极缓冲层的方法制备有机光伏器件，有效减弱了金属阴极对有机功能层中激子的淬灭效应，降低了金属阴极与有机功能层的接触势垒，有效地提高了有机光伏器件的光伏性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 卤化 阴极 缓冲 有机 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于卤化钙阴极缓冲层的有机光伏器件，包括阳极、阳极缓冲层、有机功能层、阴极缓冲层和阴极，所述阴极缓冲层为卤化钙。
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