[发明专利]一种高纯三甲基铟的制备方法有效
申请号: | 201310093309.5 | 申请日: | 2013-03-21 |
公开(公告)号: | CN103204864A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 顾宏伟;茅嘉原;李敏;王士峰;洪海燕 | 申请(专利权)人: | 苏州普耀光电材料有限公司 |
主分类号: | C07F5/00 | 分类号: | C07F5/00 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋;陆金星 |
地址: | 215124 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种高纯三甲基铟的制备方法,包括以下步骤:在惰性气体保护下,以聚乙二醇二甲醚为溶剂,以铟镁合金、金属镁为原料,边搅拌边将卤代甲烷加入反应体系,通过控制卤代甲烷的滴加速度控制反应速度,制备聚乙二醇类二甲醚溶剂和三甲基铟的配合物;反应完成后,蒸馏去除低沸点物质,然后解配聚乙二醇类二甲醚溶剂和三甲基铟的配合物,即可得到高纯三甲基铟。试验证明,本发明得到的高纯三甲基铟的纯度可达99.9999%,完全可以满足作为生长光电子材料的原料的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 高纯 甲基 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高纯三甲基铟的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在惰性气体保护下,以聚乙二醇二甲醚为溶剂,以铟镁合金、金属镁为原料,边搅拌边将卤代甲烷加入反应体系,通过控制卤代甲烷的滴加速度控制反应速度,制备聚乙二醇类二甲醚溶剂和三甲基铟的配合物;反应完成后,蒸馏去除低沸点物质,然后解配聚乙二醇类二甲醚溶剂和三甲基铟的配合物,即可得到高纯三甲基铟。
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